mos管线性区电压（mos管的线性区条件）

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mos管线性区是恒流区吗

1、你说的恒流区是指的饱和区吧，MOS管的线性区又叫三极管区，在这个区域里工作时，MOS器件的导通电阻很小，算是低阻状态，常用作开关的导通态。当其工作于饱和区时，由于漏电流与栅电压的线性关系，常用作信号放大使用。

2、MOS管是电压控制电流的器件，其输出特性可以分为三个区：截止区、恒流区、可变电阻区。截止区在输出特性曲线最底部，MOS管无法导电，处于截止状态，电流为0，管子不工作。恒流区在曲线中间部分，电流基本不随电压变化，主要由电压Ugs决定，适合用作放大电路。

3、mos管的线性区就是 可变电阻区，其阻抗与栅压成反比；mos管的饱和区是放大区，其电流电压曲线如三极管的放大区。

4、电流与栅极电压成正比，这是器件的线性工作区（恒流区）。在栅极侧，就像在第一阶段中那样，电流流入CGS和CGD电容器中，并且VGS电压升高。在器件的输出端，漏极电流升高，同时漏源电压保持之前的电平（VDS，off）。基本不变。第三阶段，米勒平坦区域。

5、mos管怎么工作在恒流区？ 80 mos管V（gs）大于夹断电压Vt时V（ds）之间的电压很小，也就是俗称的导通状态。当不断增加漏极电压是，源极电压不是也在增加吗？怎么样才会让V（ds）之间电压增大使mos工作在恒流状态呢... mos管V（gs）大于夹断电压Vt时V（ds）之间的电压很小，也就是俗称的导通状态。

6、在曲线中，工作区可分为三部分：可调电阻区（或称非饱和区）；饱和区；击穿区。

一文详解NMOS管的特性曲线(一)——输出特性曲线

输出特性曲线描绘的是固定栅源电压VGS（大于阈值电压Vth）时，NMOS管的源漏电流IDS随栅漏电压VDS变化的关系。阈值电压Vth定义为当半导体层处于临界反型状态时，施加于MOS管栅电容两端的电压值。输出电流电压关系表达式描述了电流与电压之间的数学关系。

转移特性曲线描绘了MOS晶体管在固定VDS值下，源漏电流IDS随栅源电压VGS变化的轨迹。提取阈值电压有多种方法。恒电流法是在转移特性曲线上寻找电流I等于宽度与长度乘积乘以100亿分之一时的栅极电压。

输出特性曲线描述电流与电压关系，受结温影响，数据手册通常列出两种温度下的特性曲线。根据输出特性曲线，取Uds特定点，通过作图法得到转移特性曲线，可以观察到Uds为特定值时，Id与Ugs的关系。MOS导通电阻随结温升高呈正温度系数变化，数据手册通常绘有当VGS=10V时，导通电阻随温度变化的曲线。

mos管内部短路电压变化

MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）在内部短路时，主要表现为源极和漏极间的电阻降低，电压几乎为0。这种现象通常是由于超过MOS管额定压力、温度或电流等工作条件引起的。MOS管内部短路原因可能包括以下几种：负压过大，过压击穿，过流导热，过热融化，恶劣环境等。

放大状态：当输入信号电压为高电平时，mos管的集电极电位由低向高变化，这时集电极电流i2增大。饱和状态：当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态；此时集电极电流很小。截止状态：当输入的负偏置信号（例如地）加到mos管的基极上时，使管子导通而工作于截止区。

MOS管在使用过程中，必须保持适当的电压和电流范围。如果电路设计或使用中对电压过高或电流过大，将导致MOS管内部的元器件无法承受，致使内部失效和烧毁。外部应力因素作用 在电子电路中，MOS管的工作温度受到外界环境因素的影响。

充电器长时间使用，变压器内部损耗累积，导致过热甚至冒烟。 稳压反馈电路出现故障，造成输出电压异常升高，使得电流和功耗大幅增加，从而导致元件损坏。 元件安装松动，可能导致控制电路异常，引发短路问题。

尖峰电压不是mos管本身产生的，是电感产生的，关断时电感上的电流不能突变，就会产生反峰电压，一般是用并联电阻和电容组成消除反峰电路。尖峰电压属于浪涌电压里的一种，持续时间极短但数值很高。电机、电容器和功率转换设备（如变速驱动器）是产生尖峰电压的主要因素。

电子负载中,mos管是否是工作在线性区(所谓的未完全导通)??有些负载...

电子负载中，工常正作时MOS管不是完全导通的，一般后级功率级是处于线性区，就像三极管的放大状态。电流模式时只有当流过负载电流小于设定值或者使用短路功能时，MOS管才会完全导通。接在后级MOS管驱动的运放，通常接成比例运算放大而不是比较器。

简单理解下，工作在饱和区的时候，他相当于一个导线，导线上的压降很小，消耗在上面的功率就很小，而工作在线性区的时候他相当于一个可变电阻，在串联电路中，阻值大分得的压降就大，消耗的功率就大。

电子负载中，工常正作时MOS管不是完全导通的，一般后级功率级是处于线性区，就像三极管的放大状态。电流模式时只有当流过负载电流小于设定值或者使用短路功能时，MOS管才会完全导通。仿真软件Multisim中的滑动变阻器在哪？微调变阻器在“常用元件库”中，就在电源库旁边那个。

导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。这个方法是曾经做电机驱动时候的计算方式，但是，导通内阻跟Vgs有一定关系，也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大，毕竟MOS是电压驱动型器件。

MOS管驱动电压,是处于饱和区时MOS的VGS-VTH吗?驱动电压有什么意义?

1、过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。1）只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。2）沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。

2、Vdsat=Vgs-Vth的公式在描述MOSFET的线性区与饱和区分界点时存在局限性，尤其是对于短沟道器件和FINFET器件，误差较大。实际Vdsat值通常小于此数值。沟道夹断模型指出，当Vds大于等于Vgs-Vth时，Vgd小于Vth，漏端形成反型层，沟道在漏端发生夹断。

3、Vod=Vgs-Vth，用MOS的Level 1 Model时，不考虑短沟道效用，Vdsat=Vod=Vgs-Vth，当VdsVdsat时，MOS的沟道就出现Pich-off现象，这时候电流开始饱和。

4、阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。

5、当然会了，电器产品在设计之初，都会有自己有效使用年限，在超出最佳环境的情况下使用，会加快老化。

6、以NMOS晶体管为例，在饱和区内，电场强度E随公式2给出。而平均电荷密度则与电流密度和速度乘积相似定义（公式3）。结合电流定义，得到公式4中的经典电流表达式，与过驱动电压Vgs-Vth关系成平方。

关键词：mos管线性区电压